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ALD212900PAL

Número de pieza :	ALD212900PAL
Fabricante / Marca :	Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción :	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Estado RoHS :	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	20116 pcs
Especificaciones	ALD212900PAL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	20mV @ 20µA
Paquete del dispositivo	8-PDIP
Serie	EPAD®, Zero Threshold™
RDS (Max) @Id, Vgs	14 Ohm
Potencia - Max	500mW
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres	1014-1212
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	10.6V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	80mA

Advanced Linear Devices, Inc. Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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