| Número de pieza : | 1N3879 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
| Descripción : | DIODE GEN PURP 50V 6A DO4 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 11538 pcs |
| Especificaciones | 1.1N3879.pdf2.1N3879.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.4V @ 6A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50V |
| Paquete del dispositivo | DO-4 |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 200ns |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres | 1242-1087 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 50V 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 15µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 6A |
| Capacitancia Vr, F | - |
| Número de pieza base | 1N3879 |
GeneSiC Semiconductor
